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太陽能專區

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改善光致衰減現象原理 / 提升電池片效率。
光致衰減現象主要發生在摻硼的晶矽電池組件上，這個問題最早是由Fischer和Pschunder在1973年發現的，到2004年J.Schmidt研究結果認為硼氧對是形成光衰的主要原因， 摻硼晶矽中的替位硼和間隙氧在光照下激發形成的較深能級缺陷引起載流子複合和電池性能衰退。 依據文獻結果，光致衰減幅度在3%左右,此機台可以減少光至衰減現象。

可應用電池:
  • 1. PERC單晶
  • 2. PERC多晶
  • 3. HJT
  • 4. TOPCon

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